NAND128W3A2BN6E

功能描述:闪存 NAND 128 MEG

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

数据总线宽度:1 bit

存储类型:Flash

存储容量:2 MB

结构:256 K x 8

定时类型:

接口类型:SPI

访问时间:

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.3 V

最大工作电流:15 mA

工作温度:- 40 C to + 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:

封装:Reel

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